Ux-800P二次靶

1、二次靶技術(shù):

二次靶技術(shù)：如圖所示：圖1a是從X光管出射的原級(jí)X射線。圖1b是使用濾光片的出射譜。圖1c為二次靶出射譜，很明顯二次靶技術(shù)使散射背景很弱，而弱的散射背景使得樣品出射譜的散射背景強(qiáng)度很低。

2、空間三維立體光路：根據(jù)偏振光的特性安排的空間立體光路。我們讓原級(jí)X射線以45°入射角入射到二次靶上，二次靶上出射的散射 (反射)線再以45°角入射到樣品。這樣的空間三維立體光路起到一個(gè)除去二次靶材散射背景的作用，使散射背景大大降低。

3、Ux-800P應(yīng)用了精心設(shè)計(jì)的濾光片，基本做到單色激發(fā)。

4、高管壓X光管，結(jié)合偏振二次靶的作用，使Cd、Sb、Ba等元素的檢出限大大降低。

譜圖對(duì)比：圖2和圖3分別為傳統(tǒng)EDXRF儀器和Ux-800P測(cè)塑膠樣品的譜圖的對(duì)比。從圖2圖3中不難看出，與傳統(tǒng)的EDXRF Ux-220相比，Ux-800P的散射背景明顯降低，各個(gè)待測(cè)有害元素特征峰的峰背比都有了顯著的改善，尤其以Cd和Cr較為明顯。

Ux-800P二次靶

P3：解決產(chǎn)業(yè)六大難題：

1、解決高溴中的Pb、Hg檢測(cè)，檢測(cè)均下限低于20ppm，從圖4可以看出，即使20ppm的Pb，也能可靠穩(wěn)定的檢測(cè)出來(lái)，并且線性相當(dāng)不錯(cuò)。

2、解決錫中的Cd檢測(cè)，檢測(cè)下限低于20ppm，圖5是 環(huán)保焊錫中200ppm以下Cd的檢測(cè)，使用傳統(tǒng)的EDXRF幾乎是不可能的，但采用Ux-800P，可以對(duì)焊錫中的20ppm的Cd進(jìn)行穩(wěn)定可靠的檢測(cè)，*可以滿足RoHS要求。

3、能對(duì)含Pb同時(shí)含As的樣品進(jìn)行準(zhǔn)確檢測(cè)，如圖6 Ux-800P經(jīng)過(guò)合適的配置，可以準(zhǔn)確地檢測(cè)As的含量，進(jìn)而可以準(zhǔn)確計(jì)算Pb的含量。

4、應(yīng)對(duì)玩具指令中的八大重金屬進(jìn)行高精度檢測(cè)，檢測(cè)下限均達(dá)到10ppm（如圖7）

5、能對(duì)含有高含量Bi樣品中的Pb進(jìn)行準(zhǔn)確檢測(cè)；

6、能對(duì)含有很高的Ti的樣品中的Cl進(jìn)行準(zhǔn)確檢測(cè)；

以上幾種是目前傳統(tǒng)XRF儀器無(wú)法解決的難題，Ux-800P*解決了。而UX-800P功能遠(yuǎn)不止這些，它能廣泛地應(yīng)對(duì)各種環(huán)保指令包括RoHS、EN71、ASTM-F963、Reach等等。